Die SiC-MOS-Hauptantriebsmodule von China Resources Microelectronics werden in Fahrzeugen in Massenproduktion hergestellt

Das SiC-MOS-Hauptantriebsmodul der vierten Generation von China Resources Microelectronics wurde erfolgreich bei einem führenden Automobilhersteller eingeführt und hat die Serienproduktion erreicht. Basierend auf dem 1200-V-SiC-MOS-G4-Plattformchip nutzt dieses Modul ein ValueDual-Gehäuse, ein 6/8-Transistor-Paralleldesign und einen minimalen Einschaltwiderstand von 1,6 mΩ. Es gehört zur Modulkategorie EconoDULA und hat in Hauptantriebssystemen von Nutzfahrzeugen hervorragende Leistung gezeigt.