サムスン電子、NANDフラッシュ生産ラインの稼働率を80%に向上

サムスン電子の韓国・平沢キャンパスにあるV8 NANDフラッシュメモリの生産ラインは、稼働率が80%に達しました。これは、第2四半期の60%～70%から大幅に上昇したことになります。この変化は主に、人工知能（AI）の台頭によるメモリチップの需要増加と、NANDフラッシュメモリの市場価格の上昇によるものです。2022年末に量産開始予定のサムスン電子のV8 NANDフラッシュメモリは、236層構造で、月産約10万枚の生産能力を誇ります。