インド初のシリコンカーバイド半導体工場は、16億400万ドルを投資し、年間6万枚のSiCウエハの生産能力を誇ります。

インドの半導体メーカーSiCSemは、ブヴァネーシュワルでシリコンカーバイド（SiC）半導体製造工場の起工式を開催し、同国初のSiC半導体工場の建設を正式に開始しました。総投資額は約200億ルピー（約16億400万元）で、2027年から2028年の稼働開始を予定しています。年間生産能力はSiCウェハ6万枚、パッケージング能力は約9億6000万枚です。このプロジェクトはインド政府からも強力な支援を受けており、近年のインドエレクトロニクス産業の持続的な急成長に不可欠な要素とみなされており、第三世代半導体分野におけるインド国内のプレゼンスをさらに強化する可能性があります。