Indiens erste Siliziumkarbid-Halbleiterfabrik mit einer Investition von 1,604 Milliarden verfügt über eine jährliche Produktionskapazität von 60.000 SiC-Wafern.

Der indische Halbleiterhersteller SiCSem feierte in Bhubaneswar den Spatenstich für seine Produktionsstätte für Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) und gab damit den offiziellen Baubeginn der ersten SiC-Halbleiterfabrik des Landes bekannt. Die Fabrik repräsentiert eine Gesamtinvestition von rund 20 Milliarden Rupien (ca. 1,604 Milliarden Yuan) und soll zwischen 2027 und 2028 in Betrieb gehen. Die geplante jährliche Produktionskapazität beträgt 60.000 SiC-Wafer, die Verpackungskapazität rund 960 Millionen Wafer. Das Projekt wird von der indischen Regierung nachdrücklich unterstützt und gilt als wichtiger Baustein für das anhaltende, rasante Wachstum der indischen Elektronikindustrie in den letzten Jahren. Es hat das Potenzial, die Position des Landes im Bereich der Halbleiter der dritten Generation weiter zu stärken.