La première usine de semi-conducteurs en carbure de silicium d'Inde, représentant un investissement de 1,604 milliard de roupies, a une capacité de production annuelle de 60 000 plaquettes de SiC.

Le fabricant indien de semi-conducteurs SiCSem a inauguré à Bhubaneswar son usine de fabrication de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC), marquant ainsi le début officiel de la construction de la première usine de semi-conducteurs SiC du pays. Représentant un investissement total d'environ 20 milliards de roupies (environ 1,604 milliard de yuans), l'usine devrait être opérationnelle entre 2027 et 2028, avec une capacité de production annuelle prévue de 60 000 plaquettes de SiC et une capacité d'encapsulation d'environ 960 millions de plaquettes. Ce projet bénéficie d'un soutien important du gouvernement indien et est considéré comme un élément crucial de la croissance rapide et soutenue de l'industrie électronique indienne ces dernières années, renforçant potentiellement la présence du pays sur le marché des semi-conducteurs de troisième génération.