광대역 밴드갭 반도체의 대규모 적용으로 인해 빠른 충전 기술의 업그레이드가 촉진되고 있습니다.

와이드 밴드갭 반도체의 대규모 적용은 고속 충전 기술 발전의 핵심 요소입니다. 기존 실리콘(Si) 소자에 비해 SiC 소자는 낮은 스위칭 손실, 높은 온도 저항, 높은 전력 밀도 등의 장점을 가지고 있어 고속 충전 장치의 효율을 98% 이상으로 높이고 크기를 30~50%까지 줄일 수 있습니다.