Der großflächige Einsatz von Halbleitern mit großem Bandabstand treibt die Weiterentwicklung der Schnellladetechnologie voran.

Die großflächige Anwendung von Halbleitern mit großem Bandabstand ist eine wichtige Voraussetzung für die Weiterentwicklung der Schnellladetechnologie. Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauelementen (Si) bieten SiC-Bauelemente Vorteile wie geringe Schaltverluste, hohe Temperaturbeständigkeit und hohe Leistungsdichte. Dadurch kann der Wirkungsgrad von Schnellladesäulen auf über 98 % gesteigert und deren Größe um 30–50 % reduziert werden.