La aplicación a gran escala de semiconductores de banda prohibida ancha está impulsando la mejora de la tecnología de carga rápida.

La aplicación a gran escala de semiconductores de banda prohibida ancha es fundamental para la mejora de la tecnología de carga rápida. En comparación con los dispositivos tradicionales de silicio (Si), los dispositivos de SiC presentan ventajas como bajas pérdidas de conmutación, alta resistencia a la temperatura y alta densidad de potencia, lo que permite mejorar la eficiencia de las estaciones de carga rápida hasta más del 98 % y reducir su tamaño entre un 30 % y un 50 %.