Le déploiement à grande échelle des semi-conducteurs à large bande interdite est un moteur de la modernisation des technologies de charge rapide.

L'utilisation à grande échelle des semi-conducteurs à large bande interdite est essentielle à l'amélioration de la technologie de charge rapide. Comparés aux dispositifs traditionnels en silicium (Si), les dispositifs en carbure de silicium (SiC) présentent des avantages tels que de faibles pertes de commutation, une résistance élevée aux hautes températures et une densité de puissance élevée, ce qui permet d'améliorer l'efficacité des bornes de charge rapide à plus de 98 % et de réduire leur taille de 30 à 50 %.