SiCSemがインドに初のエンドツーエンドSiCチップ製造施設を設立

SiCSemは、インド・オリッサ州において、同国初となるエンドツーエンドのシリコンカーバイド（SiC）半導体製造施設の起工式を開始しました。この施設への総投資額は約2,067億ルピーで、2027年から2028年にかけて稼働開始予定です。年間6万枚のSiCウェハの処理を目指しています。