مختبر شنتشن بينغو يحقق اختراقًا كبيرًا في تكنولوجيا SiC JFET

أعلن مختبر شنتشن بينغهو مؤخرًا عن تقدم ملحوظ في تقنية ترانزستورات تأثير المجال ذات الوصلات من كربيد السيليكون (SiC JFET). وقد نجحوا في تطوير جهاز ترانزستور تأثير المجال ذو الوصلات من كربيد السيليكون بجهد 750 فولت، بمواصفات تصل إلى مستويات متقدمة عالميًا. يتميز الجهاز بجهد انهيار يتجاوز 980 فولت، ومقاومة تشغيل نوعية منخفضة تصل إلى 1.3 متر أوم·سم²، ومقاومة طفيلية للبوابة أقل من 2 أوم (جهاز بمواصفات 35 متر أوم). وتتفوق هذه المعايير التقنية على معايير منتجات ترانزستور تأثير المجال ذو الوصلات من كربيد السيليكون بجهد 750 فولت دوليًا.