El laboratorio Pinghu de Shenzhen logra un avance importante en la tecnología JFET de SiC

El Laboratorio Pinghu de Shenzhen anunció recientemente avances significativos en la tecnología de transistores de efecto de campo de unión de carburo de silicio (SiC JFET). Han desarrollado con éxito un dispositivo SiC JFET planar de 750 V con especificaciones que alcanzan niveles avanzados internacionales. El dispositivo presenta una tensión de ruptura superior a 980 V, una resistencia específica de encendido de tan solo 1,3 mΩ·cm² y una resistencia parásita de puerta inferior a 2 Ω (para el dispositivo con especificaciones de 35 mΩ). Estos parámetros técnicos superan los de productos SiC JFET planares similares a nivel internacional.