Die vGaN-Bauelemente von ON Semiconductor sind spannungsbeständig bis 1200 V und darüber.

Laut veröffentlichten Leistungsdaten können vertikale Galliumnitrid-Bauelemente (vGaN) Spannungen von 1200 V und mehr standhalten, Prototypen erreichen sogar 3300 V. Systeme auf vGaN-Basis sollen die Leistungsumwandlungsverluste um bis zu 50 % reduzieren. Die höhere Schaltfrequenz dieser Bauelemente ermöglicht eine entsprechende Verkleinerung von Induktivitäten, Kondensatoren und magnetischen Bauteilen.