Les dispositifs vGaN d'ON Semiconductor peuvent supporter des tensions de 1200 V et plus.

D'après les spécifications de performance publiées, les dispositifs à base de nitrure de gallium vertical (vGaN) peuvent supporter des tensions de 1 200 V et plus, certains prototypes atteignant même 3 300 V. Les systèmes à base de vGaN permettraient de réduire les pertes de conversion de puissance jusqu'à 50 %. La fréquence de commutation plus élevée de ces dispositifs autorise une réduction de la taille des inductances, des condensateurs et des composants magnétiques.