Los dispositivos vGaN de ON Semiconductor pueden soportar voltajes de 1200 V y superiores.

Según las especificaciones de rendimiento publicadas, los dispositivos verticales de nitruro de galio (vGaN) pueden soportar voltajes de 1200 V o superiores, y algunos prototipos incluso alcanzan los 3300 V. Se afirma que los sistemas basados ​​en vGaN reducen las pérdidas de conversión de potencia hasta en un 50 %. La mayor frecuencia de conmutación de estos dispositivos permite una reducción correspondiente en el tamaño de inductores, condensadores y componentes magnéticos.