Feizheng Semiconductor ist führend bei Innovationen im Bereich Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter.

Als eines der ersten chinesischen Unternehmen, das sich mit der Forschung und Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen befasste, hat Feizheng Semiconductor insgesamt 34 Millionen 1200-V-Siliziumkarbid-Bauelemente ausgeliefert und hält damit einen Marktanteil von 50 % im Bereich der Ladesäulen. Feizheng Semiconductor hat seinen Siliziumkarbid-MOSFET der vierten Generation auf den Markt gebracht, der durch optimierte Zellprozesse und Anschlussstrukturen den spezifischen Widerstand (RSP) auf 1,8 mΩ·cm² reduziert, die Stromausbeute deutlich verbessert und die Systemkosten senkt. Diese Technologie erzielt zudem eine Reduzierung der statischen Verluste um 30 % und eine Optimierung der dynamischen Verluste um 16 %.