Feizheng Semiconductor à la pointe de l'innovation dans les dispositifs de puissance en carbure de silicium

Feizheng Semiconductor, l'une des premières entreprises chinoises spécialisées dans la recherche et le développement de dispositifs en carbure de silicium, a livré 34 millions de dispositifs de 1 200 V et détient 50 % du marché des bornes de recharge. Feizheng Semiconductor a lancé sa quatrième génération de MOSFET en carbure de silicium qui, grâce à un procédé de fabrication et une structure de bornes optimisés, réduit la résistance de seuil (RSP) à 1,8 mΩ·cm², améliorant considérablement la capacité de courant de sortie et réduisant le coût du système. Cette technologie permet également une réduction de 30 % des pertes statiques et une optimisation de 16 % des pertes dynamiques.