インテル、300mmシリコンベースの窒化ガリウムをベースとした窒化ガリウムチップ技術を発表

IEDM 2025 では、Intel のファウンドリーの研究者が、高性能、高密度、高効率のパワー エレクトロニクスおよび高速無線周波数エレクトロニクス (RF エレクトロニクス) アプリケーションをターゲットとした、300mm GaN-on-Silicon プロセスに基づくチップ テクノロジを展示しました。