인텔, 300mm 실리콘 기반 질화갈륨 칩 기술 공개

IEDM 2025에서 인텔 파운드리 연구원들은 고성능, 고밀도, 고효율 전력 전자 장치 및 고속 무선 주파수 전자 장치(RF 전자 장치) 애플리케이션을 목표로 하는 300mm GaN-on-Silicon 공정 기반 칩 기술을 선보였습니다.