シラン・マイクロエレクトロニクスは、厦門で8インチシリコンカーバイドパワーデバイスチップ生産ラインの稼働開始式を開催した。

シラン・マイクロエレクトロニクスは、厦門で8インチシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスチップ生産ラインの試運転式を開催しました。同社が独自に開発・量産するこの生産ラインは、同社にとって第3世代半導体分野における技術革新から大規模納入への大きな飛躍となるものです。このプロジェクトは総投資額120億人民元で、2期に分けて建設されています。フル稼働時には、年間72万個の8インチSiCチップの生産能力を有します。