Nexperia推出高性能SiC MOSFET分立器件，采用D2PAK-7封装

Nexperia近期推出1200V碳化硅(SiC)MOSFET分立器件，采用D2PAK-7封装，提供30、40、60和80mΩRDson值选项。此产品是继2023年底推出TO-247封装的SiC MOSFET后的新产品，将进一步扩大产品线。新器件满足市场对高性能SiC开关的需求，适用于电动汽车充电、不间断电源、太阳能和储能系统等工业应用。