三星3nm制程良率仅为20%,台积电N3B制程良率接近55%
ASML
N3
芯片
制程
良率
量产
三星
代工
订单
2024-05-21 13:25
1
据报道,三星即将量产的第二代3nm制程良率仅为20%,而台积电的N3B制程良率已接近55%。这一差异可能会影响三星在争夺英伟达芯片代工订单方面的努力。
Prev:英伟达计划提前引入GB200超级芯片,加速扇出型封装技术发展
Next:数据中心GPU需求激增,台积电面临CoWoS封装产能危机
快报
一手资料
数据
个人中心