安建半导体功率半导体模块封装项目签约落户浙江

5月20日，安建半导体宣布其“功率半导体模块封装项目”在浙江海宁经济开发区签约落户，总投资1亿元人民币。该项目旨在打造汽车级IGBT及SiC模块封装产线。安建半导体成立于2021年7月，目前已实现IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三条产品线量产，并推出了具有完全自主产权的1200V-17mΩSiC MOSFET。