三星与新思科技合作优化2nm工艺

三星电子宣布与新思科技（Synopsys）合作，共同优化其2nm工艺技术。新思科技的AI驱动设计技术和协同优化（DTCO）解决方案将帮助三星提升2nm工艺的面积、性能和能效。预计三星将于明年开始量产2nm芯片。这一代工艺采用了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，并引入了独特的外延和集成工艺。与现有FinFET工艺相比，新工艺使晶体管性能提高了11%至46%，可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。