安世半导体在德国汉堡工厂开发和生产三种工艺器件

为满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，安世半导体将从2024年6月开始，在德国汉堡工厂开发和生产三种工艺（SiC、GaN和Si）器件。同月，该公司的高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线将开始投产。安世半导体表示，其下一个里程碑将是建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线。这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。