湖南三安半导体举办芯片二厂M6B设备入场仪式

湖南三安SiC项目的总投资高达160亿人民币，目标是建立6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。M6B作为湖南三安在SiC产业布局中的重要一环，其投产情况备受瞩目。预计在今年的12月，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体将正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。