三星电子计划在其平泽P4工厂引入1c nm DRAM处理设备

据报道，三星电子正在准备在其位于平泽的P4工厂引入DRAM处理设备，以建立1c nm DRAM内存生产线。预计该生产线将于明年6月开始运营，目的是提高HBM4内存的能效竞争力。平泽P4是一个综合性的半导体生产中心，分为四个阶段。在早期的规划阶段，第一阶段是NAND闪存生产，第二阶段是逻辑代工，而第三阶段和第四阶段将专注于DRAM内存的生产。目前，三星已经在P4的第一阶段中引入了DRAM生产设备，但暂停了第二阶段的建造。