德州仪器宣布在日本会津工厂启动基于氮化镓的功率半导体生产

德州仪器（TI）近日宣布，其基于氮化镓（GaN）的功率半导体已经在日本会津工厂开始投产。这一举措使得公司的GaN功率半导体自有制造产能提升了四倍。德州仪器技术和制造集团高级副总裁Mohammad Yunus表示：“我们已经成功验证了德州仪器8英寸GaN技术并开始大规模生产。这种GaN制造方式具有显著的可扩展性和成本优势，对于扩大GaN芯片的自有制造至关重要。预计到2030年，我们的自有制造产能将达到95%以上，同时实现从多个德州仪器工厂供货，以确保我们高功率、高能效GaN半导体产品的稳定供应。”