三星电子计划推出新一代V-NAND技术

据韩国媒体报道，三星电子计划在2026年推出超过400层的下一代V-NAND技术，并在2027年推出基于VCT结构的0a nm DRAM。这种新型的V-NAND技术被称为BV（Bonding Vertical） NAND，它将改变现有的CoP外围上单元结构，通过分别制造存储单元和外围电路后进行垂直键合，从而避免在NAND堆叠过程中对外围电路结构的破坏，并且可以实现比CoP方案高出60%的位密度。此外，2027年的V11 NAND层数将进一步增加，I/O速率可以提高50%，未来有望实现千层堆叠。