三星电子发布新的存储路线图

三星电子近日发布了新的存储路线图，计划在未来几年内推出一系列创新的存储解决方案。其中，最引人注目的是将在2026年推出的超过400层的下一代V-NAND技术和2027年推出的基于VCT结构的0a nm DRAM。这些新技术将有助于提高存储设备的性能和容量，以满足不断增长的数据处理需求。