芯联集成形成三大增长曲线

芯联集成已形成以IGBT、MOSFET、MEMS为主的8英寸硅基芯片、模组产线的第一增长曲线；以SiC MOSFET芯片及模组产线为代表的第二增长曲线；以高压、大功率BCD工艺为主的模拟IC为第三增长曲线，三条增长曲线将覆盖不同的产品领域和应用方向。