从HBM3向HBM4的过渡，制造高水平的DRAM堆叠的过程更加复杂

随着行业从HBM3向HBM4的过渡，制造高水平的DRAM堆叠的过程只会变得更加复杂。然而，供应商和芯片制造商也在寻找更低成本的替代方案，以进一步提高这些极快且必要的内存芯片堆叠的采用率。