228
据报道，韩国存储芯片大厂SK海力士为了满足重要客户的需求，计划从2025年下半年开始使用台积电的3nm工艺为客户生产定制的第六代高带宽内存HBM4。据悉，SK海力士已经决定与台积电合作，最早将在明年3月推出一款基于台积电3nm工艺生产的垂直堆叠HBM4原型产品，主要的客户是英伟达。HBM4将采用逻辑基础芯片（Logic Base Die）代替传统的DRAM基础芯片（DRAM Base Die），以提高性能和能效。这种逻辑基础芯片位于DRAM的底部，主要作为GPU和内存之间的控制器，并且允许客户进行自定义设计，添加自己的知识产权（IP），有助于实现HBM的定制化，进一步提高数据处理的效率。预计这将使功耗降低约30%。
