芯辰半导体宣布新外延设备投产，覆盖全材料体系

芯辰半导体宣布其新外延设备已正式投产，涵盖砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系。目前，该公司已成功实现波长范围760nm至1700nm的外延片量产，外延均匀性控制在激射中心波长外2nm以内。此外，典型波长的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主产线中成功验证了VCSEL或DFB芯片。