Infineon bringt das leistungsstarke 3,3-kV-MOSFET-Modul XHP™ 2 CoolSIC™ auf den Markt

Das neu eingeführte 3,3-kV-Hochspannungs-SiC-Modul von Infineon umfasst ein 1000-A-Strom- und 2,0-mΩ-Einschaltwiderstandsmodul und ein 750-A-Strom- und 2,6-mΩ-Einschaltwiderstandsmodul. Die Module verfügen über SiC-MOSFETs mit integrierten Body-Dioden und sind in einem XHP™ 2-Gehäuse mit niedriger Induktivität unter Verwendung der .XT-Verbindungstechnologie von Infineon untergebracht. Sie zeigen hervorragende Leistungen im Bereich des Kfz-Abschleppens.