El módulo de medio puente de 62 mm recientemente lanzado utiliza un chip SiC M1H de 2000 V

El módulo de medio puente MOSFET CoolSiC™ de 62 mm recientemente lanzado por Infineon utiliza un chip SiC M1H de 2000 V y está disponible en especificaciones de 2,6 mΩ y 3,5 mΩ. El módulo presenta un rendimiento mejorado de ventana de voltaje de accionamiento de puerta y deriva VGS(th), RDS(on). Además, también está disponible una versión de material de interfaz térmica (TIM) preaplicado.