Il modulo a semiponte da 62 mm appena lanciato utilizza il chip SiC M1H da 2000 V

Il nuovo modulo a semiponte CoolSiC™ MOSFET da 62 mm di Infineon utilizza un chip SiC M1H da 2000 V ed è disponibile nelle specifiche da 2,6 mΩ e 3,5 mΩ. Il modulo presenta prestazioni migliorate della finestra di tensione VGS(th), RDS(on) e gate drive. Inoltre, è disponibile anche una versione con materiale di interfaccia termica (TIM) pre-applicato.