Nei lancéiert 62mm Hallefbréck Modul benotzt 2000V SiC M1H Chip
Kuwa Technologie
CoolSiC
Si
Inter
M1H
MOSFET
Mo
Si
Cool
Chip
Leeschtung
Leeschtung
Hall
Gate
Interface
Interface
fueren
Hall
SiC
2024-12-19 19:44
6
Infineon's nei lancéiert 62mm CoolSiC ™ MOSFET Hallefbréck Modul benotzt 2000V SiC M1H Chip an ass verfügbar an 2.6mΩ an 3.5mΩ Spezifikatioune. De Modul Fonctiounen verbessert VGS (th), RDS (op) Drift an Gate fueren Volt Fënster Leeschtung. Zousätzlech ass eng pre-applizéiert Thermal Interface Material (TIM) Versioun verfügbar.
