Η μονάδα μισής γέφυρας 62 mm που κυκλοφόρησε πρόσφατα χρησιμοποιεί τσιπ 2000V SiC M1H

Η νέα μονάδα μισής γέφυρας CoolSiC™ MOSFET 62 mm της Infineon που κυκλοφόρησε πρόσφατα χρησιμοποιεί τσιπ 2000V SiC M1H και διατίθεται σε προδιαγραφές 2,6mΩ και 3,5mΩ. Η μονάδα διαθέτει βελτιωμένη απόδοση παραθύρου VGS(th), RDS(on) και τάσης κίνησης πύλης. Επιπλέον, διατίθεται επίσης μια προ-εφαρμοσμένη έκδοση Thermal Interface Material (TIM).