Nylansert 62 mm halvbromodul bruker 2000V SiC M1H-brikke

Infineons nylanserte 62 mm CoolSiC™ MOSFET halvbromodul bruker 2000V SiC M1H-brikke og er tilgjengelig i 2,6 mΩ og 3,5 mΩ spesifikasjoner. Modulen har forbedret VGS(th), RDS(on) drift og gatedrivspenningsvinduytelse. I tillegg er en forhåndspåført versjon av termisk grensesnittmateriale (TIM) tilgjengelig.