Análisis de confiabilidad y tecnología MOSFET Infineon M1H CoolSiC™

Infineon lanza el MOSFET M1H CoolSiC™, que utiliza tecnología de compuerta de zanja asimétrica para combinar rendimiento y confiabilidad. Esta tecnología resuelve eficazmente el problema de confiabilidad de la capa de óxido de la puerta MOSFET de SiC y mejora el rendimiento del dispositivo. El chip M1H tiene una baja tasa de fallas y una calidad mejorada del óxido de compuerta, lo que reduce significativamente la deriva del umbral. Además, este MOSFET promete capacidad de cortocircuito, con un solo tubo que tiene un tiempo de cortocircuito de 3 us a un voltaje de puerta de 15 V.