Tecnologia MOSFET Infineon M1H CoolSiC™ e analisi dell'affidabilità

Infineon lancia il MOSFET M1H CoolSiC™, che utilizza la tecnologia trench gate asimmetrica per combinare prestazioni e affidabilità. Questa tecnologia risolve efficacemente il problema dell'affidabilità dello strato di ossido del gate del MOSFET SiC e migliora le prestazioni del dispositivo. Il chip M1H presenta un basso tasso di guasto e una migliore qualità dell'ossido di gate, riducendo significativamente la deriva della soglia. Inoltre, questo MOSFET promette capacità di cortocircuito, con un singolo tubo che ha un tempo di cortocircuito di 3us con una tensione di gate di 15V.