Infineon M1H CoolSiC ™ MOSFET Technologie an Zouverlässegkeet Analyse

Infineon lancéiert M1H CoolSiC ™ MOSFET, déi asymmetresch Trench Gate Technologie benotzt fir Leeschtung an Zouverlässegkeet ze kombinéieren. Dës Technologie léist effektiv d'Zouverlässegkeetsproblem vun der SiC MOSFET Gateoxidschicht a verbessert d'Performance vum Apparat. De M1H Chip huet niddereg Ausfallquote a verbessert Gateoxidqualitéit, wat d'Schwelldrift wesentlech reduzéiert. Zousätzlech versprécht dëse MOSFET Kuerzschlussfäegkeet, mat engem eenzegen Röhre mat enger Kuerzschlusszäit vun 3us bei enger Paartspannung vu 15V.