三星引領第九代V-NAND快閃記憶體技術量產

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品已投入量產，採用先進通道孔蝕刻技術，位元密度較上一代提升約50%。新產品具備更高效能、更低功耗，支援PCIe 5.0，適用於未來AI時代需求。