Teknologi MOSFET dan Analisis Keandalan Infineon M1H CoolSiC™

Infineon meluncurkan M1H CoolSiC™ MOSFET, yang menggunakan teknologi gerbang parit asimetris untuk memadukan kinerja dan keandalan. Teknologi ini secara efektif memecahkan masalah keandalan lapisan oksida gerbang SiC MOSFET dan meningkatkan kinerja perangkat. Chip M1H memiliki tingkat kegagalan yang rendah dan kualitas gerbang oksida yang ditingkatkan, sehingga secara signifikan mengurangi penyimpangan ambang batas. Selain itu, MOSFET ini menjanjikan kemampuan hubung singkat, dengan satu tabung mempunyai waktu hubung singkat 3us pada tegangan gerbang 15V.