Η Samsung ηγείται της μαζικής παραγωγής τεχνολογίας μνήμης flash V-NAND 9ης γενιάς

Η Samsung ανακοίνωσε ότι το προϊόν της ένατης γενιάς V-NAND 1Tb TLC έχει τεθεί σε μαζική παραγωγή, χρησιμοποιώντας προηγμένη τεχνολογία χάραξης οπών καναλιού για αύξηση της πυκνότητας bit κατά περίπου 50% σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά. Το νέο προϊόν έχει υψηλότερη απόδοση, χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας, υποστηρίζει PCIe 5.0 και είναι κατάλληλο για τις ανάγκες της μελλοντικής εποχής AI.