Infineon M1H CoolSiC™ MOSFET Teknologi dan Analisis Kebolehpercayaan

Infineon melancarkan M1H CoolSiC™ MOSFET, yang menggunakan teknologi gerbang parit asimetri untuk menggabungkan prestasi dan kebolehpercayaan. Teknologi ini secara berkesan menyelesaikan masalah kebolehpercayaan lapisan oksida gerbang SiC MOSFET dan meningkatkan prestasi peranti. Cip M1H mempunyai kadar kegagalan yang rendah dan kualiti oksida gerbang yang dipertingkatkan, dengan ketara mengurangkan hanyut ambang. Selain itu, MOSFET ini menjanjikan keupayaan litar pintas, dengan satu tiub mempunyai masa litar pintas 3us pada voltan pintu 15V.