Samsung Electronics lanseeraa 12nm DDR5 DRAM -muistin ja aloittaa massatuotannon

Samsung Electronics ilmoitti äskettäin, että sen 12 nm:n prosessitekniikkaa käyttävä 16 Gb DDR5 DRAM on otettu massatuotantoon. Tämä uuden sukupolven DRAM on energiatehokkaampi ja tuottavampi, ja se optimoi seuraavan sukupolven laskentasovelluksia, mukaan lukien tekoäly. Edelliseen sukupolveen verrattuna uusi DRAM vähentää virrankulutusta 23 % ja lisää kiekkojen tuottavuutta 20 %. Lisäksi se tukee jopa 7,2 gigabitin nopeuksia sekunnissa, mikä vastaa noin kahden 30 Gt:n UHD-elokuvan käsittelyä sekunnissa. Samsung jatkaa 12 nm:n DRAM-tuotevalikoimansa laajentamista vastatakseen markkinoiden kysyntään.