Samsung Electronics lancerer 12nm DDR5 DRAM og begynder masseproduktion

Samsung Electronics annoncerede for nylig, at deres 16 Gb DDR5 DRAM ved hjælp af 12nm procesteknologi er blevet sat i masseproduktion. Denne nye generation af DRAM er mere energieffektiv og produktiv og vil optimere næste generations computerapplikationer, herunder kunstig intelligens. Sammenlignet med den tidligere generation af produkter reducerer den nye DRAM strømforbruget med 23 % og øger wafer-produktiviteten med 20 %. Derudover kan den understøtte hastigheder på op til 7,2 gigabit i sekundet, hvilket svarer til at behandle cirka to 30GB UHD-film i sekundet. Samsung vil fortsætte med at udvide sit 12nm DRAM produktsortiment for at imødekomme markedets efterspørgsel.