Samsung Electronics lanserar 12nm DDR5 DRAM och börjar massproduktion

Samsung Electronics meddelade nyligen att dess 16 Gb DDR5 DRAM med 12nm processteknik har satts i massproduktion. Denna nya generation av DRAM är mer energieffektiv och produktiv och kommer att optimera nästa generations datortillämpningar, inklusive artificiell intelligens. Jämfört med den tidigare generationens produkter minskar det nya DRAM strömförbrukningen med 23 % och ökar waferproduktiviteten med 20 %. Dessutom kan den stödja hastigheter på upp till 7,2 gigabit per sekund, vilket motsvarar att behandla cirka två 30GB UHD-filmer per sekund. Samsung kommer att fortsätta att utöka sin produktlinje för 12nm DRAM för att möta marknadens efterfrågan.